2025年7月10日，稀有院举办了第二十期“新材料系列讲座”。此次讲座邀请了中国科学院半导体研究所的赵有文研究员，作了题为《GaSb、InAs和InP单晶及衬底材料的研究进展》的学术报告，相关科研人员及联合培养学生参会。

　　赵有文研究员重点介绍了课题组在III-V族化合物半导体单晶及衬底制备技术方面的研究进展等内容，并与我院科研人员进行了讨论交流。

　　报告结束后，向赵有文研究员颁发了“新材料系列讲座”受邀嘉宾荣誉证书。